在8月8日至10日在圣克拉拉举行的2023闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）上，SK 海力士展示了其321层1Tb TLC 4D NAND Flash样品，并透露了开发进展。他们表示，将进一步完善 321 层 NAND 闪存，并计划于 2025 年上半期开始量产。
在8月8日至10日在圣克拉拉举行的2023闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）上，SK 海力士展示了其321层1Tb TLC 4D NAND Flash样品，并透露了开发进展。他们表示，将进一步完善 321 层 NAND 闪存，并计划于 2025 年上半期开始量产。
随着生成型人工智能应用程序（例如由微软公司支持的 OpenAI 开发的 ChatGPT）的快速增长，对能够以更快的速度处理更多数据的先进存储芯片的需求一直在增加。
SK海力士NAND开发负责人Choi Jungdal在大会上发表主题演讲时表示：“随着高性能、大容量NAND的适时推出，我们将努力满足AI时代的要求，持续引领创新。”
他还表示，公司从已经大规模生产的世界最高238层NAND的成功中积累的技术竞争力为321层产品的开发铺平了道路。 “通过另一次突破以解决堆叠限制，SK海力士将开启超过300层的NAND时代并引领市场。”
321 层 1Tb TLC NAND 的效率比上一代 238 层 512Gb 提高了 59%。这是由于数据存储的单元可以以更多的单片数量堆栈至更高，在相同芯片上实现更大存储容量，进而增加了单位晶圆上芯片的产出数量。
