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DRAM IC memory芯片颗粒BGA60-0.8功能老化测试座

  • DRAM IC memory芯片颗粒BGA60-0.8功能老化测试座

DRAM IC memory芯片颗粒BGA60-0.8功能老化测试座

DRAM IC memory芯片颗粒BGA60-0.8功能老化测试座

DRAM IC memory芯片颗粒BGA60-0.8功能老化测试座

一、实际要求:

1.封装:BGA封装

2.Pin数:60pin

3.间距:0.8mm

4.芯片类型:内存颗粒;

5.测试要求:芯片功能性调试以及量产老化测试

二、芯片特性:60球内存颗粒测试座,主要是针对SDRAM-LPDDR上,易失性存储器芯片测试,时钟频率166mhz,电压1.7~1.95V;

三、需求分析:该芯片封装尺寸为:BGA60-0.8-8*9mm,测试座定位限位设计按照对应的公差匹配标准,设计测试座即可,频率电流方面,并没有特殊要求,但是需要同时过-45~155℃的高温动态测试;

四、确认图纸设计结构之后,按照图纸严格执行生产即可,做出产品之后发用户实板检测即可。

 

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