2000V高压芯片QFN测试座
一、实际要求：
1.封装：QFN封装
2.Pin数:20pin
3.间距：0.65mm
4.芯片类型：IGBT类高压驱动开关芯片
5.测试要求：芯片功能性调试，高压冲击试验
二、芯片特性：芯片尺寸10*10mm，间距为0.65mm，所幸的是芯片的电源极均为内联的架构，在外部可操作空间大，使得过高压的设计更加容易，目前的S极和D极的位置很大，能够很容易的来匹配我们采用高性能导通材料来匹配2000V的高压，该测试是高压冲击试验，常规状态下是500mA，开关频率200kHZ，2W的功率，1000小时的老化功能测试，175℃。
三、需求分析：该测试要求比较难的地方在于是高压冲击2000V，这个测试是在2W、500mA的常规功能老化的情况下发生，需要测试座不仅仅要适配2000V的冲击，还需要在高温175摄氏度下完成1000小时的功能测试，这对于材料，导通等要求很高，为了匹配这个高要求测试，我们采用了PEEK高性能工程塑料，以及低阻抗介质降低高压的击穿风险。
四、生产过程中，对定制的各个部件进行严格的检查，确认芯片的结构在可允许的范围之类，所有部件确认ok之后，方可组装，整体检测完毕，出货。
