Power-Transistor 翻盖老化测试座

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Power-Transistor 翻盖老化测试座

Power-Transistor 翻盖老化测试座

品名:Power-Transistor 翻盖老化测试座

封装尺寸:HDSOP16,间距1.2mm,尺寸9.9*15mm

测试支持:测试环境温度-45~155℃;相对湿度RH 85%,测试时长1000小时

产品特色:适用于手动快速大批量测试,顶部开窗便于安装外部的热敏探头以及散热组件,同时外围避空以及绝缘设计,保证测试芯片安全性。

产品用途:特殊封装芯片采用定制,HAST/HTOL等老化测试、可靠性测试,手工测试亦。

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