HEMT DFN5*6高压大电流测试座

封装尺寸：DFN封装，5*6mm，0.65mm间距，主要pinmap：Drain，Source，Gate

老化测试支持：测试环境温度-40~125℃，测试时长1000小时，过流一进一出800V/10A的功能性测试。

产品特色：适用于芯片基础性能调试与HEMT老化测试

产品用途：N通道HMET功率芯片老化测试，GaN芯片老化测试，IGBT芯片老化测试等功率器件芯片测试要求；

产品亮点：耐大电流，1个芯片单通道10A以上，800V高压的脉冲测试，探针过流能力强，探针过流内阻低；在功能老化测试的同时保证发热不会很大，同时测试座外壳铝合金结构，阳极氧化绝缘，兼顾了绝缘与散热。