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QFN20-0.65高压功能老化测试座

  • QFN20-0.65高压功能老化测试座

QFN20-0.65高压功能老化测试座

封装尺寸：0.65mm间距，8*8*0.7mm

测试支持：芯片测试过程中功耗在2W，使用最高电流为500mA，可以支持芯片瞬态ns级高压2200v的冲击试验；

产品特色：适用于高压测试2200V

IC用途：高压IGBT开关电源芯片

产品亮点：耐大高压2200V

QFN20-0.65高压功能老化测试座

品名：QFN20-0.65高压功能老化测试座

 

 

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